IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ44; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C3513B-12JCN
520,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C3513B-12JCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷12мм; 10÷30ВDC; M18; IP68
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷12мм; 10÷30ВDC; M18; IP68

2791,44 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...12мм
Загальна довжина:
65мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 48А; 156Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 48А; 156Вт; TO263

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,5нКл
Корпус:
TO263
Недоступний
Резистор: thin film; 294Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 294Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT363

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT363
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 1кВ; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 1кВ; X7R; ±20%; SMD; 1206

2,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 60мА; THT
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 60мА; THT

6154,34 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
20А
Вхідна напруга:
48В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM