IC: пам'ять SRAM; 64МбSRAM; 4Mx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
304,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: PSRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64Мб SRAM
Робоча напруга: 1,7...1,95В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 45; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 45; THT; straight

51,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5

15,59 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид компаратора:
low-power
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 390мкГн; 80мА; R: 6,9Ом; ±5%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 390мкГн; 80мА; R: 6,9Ом; ±5%; LQH; 180мм

7,73 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,39мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷85°C
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷85°C

10,77 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид об'єднаної схеми:
буфер; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C