IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV10248BLL-10TLI-TR
819,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS61WV10248BLL-10TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1024Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THR,THT; 3A

312,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; HF115F
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; HF115F

72,86 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
9В DC
Макс. струм контактів:
16А
Недоступний
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,5пФ
IC: пам'ять SRAM; 64Кx16бит; 12нс; SOJ44; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 64Кx16бит; 12нс; SOJ44; паралельний; 0÷70°C

127,98 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 128Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 128Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; паралельний

486,57 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM