IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS64WV10248EDBLL-10CTLA3
912,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS64WV10248EDBLL-10CTLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 1Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; SMD4

0,00 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
VDE
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603

3,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка

432,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Суперконденсатор; THT; 25Ф; 3ВDC; Ø16x25мм; H: 25мм; Ø: 16мм
Суперконденсатор; THT; 25Ф; 3ВDC; Ø16x25мм; H: 25мм; Ø: 16мм

91,23 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Ємність:
25Ф
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM