IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 3÷3,6В; 10нс; BGA48; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C38096A-10BIN
975,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: AS7C38096A-10BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: BGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 33нФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±5%; 5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 33нФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±5%; 5мм

10,96 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Транзистор: NPN; біполярний; 40В; 0,6А; 0,625Вт; TO92
Транзистор: NPN; біполярний; 40В; 0,6А; 0,625Вт; TO92

11,40 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
40В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V

173,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,1мм
Резистор: thick film; 18Ом; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 18Ом; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; MSOP8; SMD; ролик,cтрічка
IC: цифровий потенціометр; SPI; MSOP8; SMD; ролик,cтрічка

45,62 грн

Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
MSOP8
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM