IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1051H30-10BVXIT
994,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY7C1051H30-10BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

62,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
C0G (NP0)
Корпус для з’єднувачів: M23; прямий; для проводу; 7÷12мм
Корпус для з’єднувачів: M23; прямий; для проводу; 7÷12мм

1791,06 грн

Застосування - серія/виробник:
M23 Signal
Зовнішній діаметр проводу:
7...12мм
Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
EMC; з кабельним введ.
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 63ВDC; Ø8x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 63ВDC; Ø8x12мм; ±20%

3,36 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2072,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM