IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV51216EEBLL-10BLI
526,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS61WV51216EEBLL-10BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 10ВDC; Y5V; -20÷80%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 10ВDC; Y5V; -20÷80%; SMD; 0805

1,14 грн

Діелектрик:
Y5V
Допуск:
-20...80%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус - дюйм:
0805
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; стандартна; PIN: 2; прямий; 5мм
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; стандартна; PIN: 2; прямий; 5мм

17,99 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Клас горючості:
UL94V-2
Дисплей: TFT; 2,4"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 42,72x60,26x3,15мм
Дисплей: TFT; 2,4"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 42,72x60,26x3,15мм

1137,23 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
ST7789VI
Властивості дисплеїв:
безбликове скло
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

1,70 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 201,6Вт; Uвх: 67,2÷143ВDC; Uвих: 24ВDC; RSD
Перетворювач: DC/DC; 201,6Вт; Uвх: 67,2÷143ВDC; Uвих: 24ВDC; RSD

5366,83 грн

Вид корпусу:
203A
Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
8,4А
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн