IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,5÷3,6В; 70нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS66WV51216EBLL-70BLI
219,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS66WV51216EBLL-70BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: PSRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Акумулятор; Ni-MH; 4200мАг; 4,8В; 1шт.
Акумулятор; Ni-MH; 4200мАг; 4,8В; 1шт.

7055,89 грн

Вид акумулятора:
Ni-MH
Ємність:
4,2Аг
Кількість в наборі/упаковці:
1шт.
Напруга акумулятора:
4,8В
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 400ВDC; 20мм; ±10%; MSR; THT
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 400ВDC; 20мм; ±10%; MSR; THT

34,91 грн

Довжина відводів:
20мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: wire-board; plug; female; data; CLIK-Mate; PIN: 9; 1.5mm
Connector: wire-board; plug; female; data; CLIK-Mate; PIN: 9; 1.5mm

11,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
9
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 250ВAC; 320ВDC; 390В; 6кА; Ø: 14мм
Варистор: металооксидний; THT; 250ВAC; 320ВDC; 390В; 6кА; Ø: 14мм

16,66 грн

Висота:
14мм
Діаметр:
14мм
Енергія E10/1000мкс:
100Дж
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 133кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 133кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 20ВА; 230ВAC; 12В; 1,67А; на шину DIN
Трансформатор: мережевий; 20ВА; 230ВAC; 12В; 1,67А; на шину DIN

1312,72 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
12В
Захист:
запобіжник
Монтаж:
на шину DIN
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM