IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS6C8016B-55BIN
424,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: AS6C8016B-55BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 55нс
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP4

38,65 грн

CTR@If:
50-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Недоступний
Резистор: thin film; 3кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 3кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

1,29 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 2,74Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,22 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

126,08 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
15x7,4x8,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 27,4Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27,4Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

3,14 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; 3м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 4; 3м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

834,39 грн

Довжина кабелю:
3м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C