IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 45нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY62157EV30LL-45BVXA
680,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 960
Крок додавання: 960
Код товару: CY62157EV30LL-45BVXA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 1,5мкФ; 400ВDC; ±5%; Ø14x29мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 1,5мкФ; 400ВDC; ±5%; Ø14x29мм; THT

414,34 грн

Виводи:
осьові
Висота:
29мм
Діаметр:
14мм
Допуск:
±5%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

17,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 10мм; 1/2"; довга
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 10мм; 1/2"; довга

253,42 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
78мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 12÷160ВDC; Uвих: 54ВDC; Iвих: 2,8А
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 12÷160ВDC; Uвих: 54ВDC; Iвих: 2,8А

9197,93 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
54В DC
Вихідний струм:
2,8А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 8мм; 1000мкФ; 2,5ВDC; THT; A750
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 8мм; 1000мкФ; 2,5ВDC; THT; A750

29,78 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
8мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,13кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 1,13кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4

223,01 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,16А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2072,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM