Модуль; діод/транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний; 450Вт

Немає в наявності
Код товару: APT5010JVRU2
1917,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5010JVRU2
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Потужність розсіювання: 450Вт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 176А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: boost chopper
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 35А; 165Вт; PSMT-16L
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 35А; 165Вт; PSMT-16L

201,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PSMT-16L
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Роз’єм: M12; промислова; прямий; сплав міді; метал; -25÷85°C
Роз’єм: M12; промислова; прямий; сплав міді; метал; -25÷85°C

306,01 грн

Connector family:
промислова
Матеріал контакту:
сплав міді
Матеріал корпусу:
метал
Просторова орієнтація:
прямий
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5575,27 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP