1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А
Немає в наявності
Код товару: SKIIP 10NAB12T4V1 25231660
3509,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKIIP 10NAB12T4V1 25231660
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: MiniSKiiP® 1
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 4А
Струм колектора в імпульсі: 12А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазни діодний міст; boost chopper; півмісток IGBT x3; термістор NTC
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 244; лоток
IC: FPGA; SMD; I/O: 244; лоток

14310,65 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
244
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 1210; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 1210; 330мм

6,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА

391,50 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
40мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Насадка: 12-гранна; насадковий; 15/16"; 3/4"; 51,5мм; хром
Насадка: 12-гранна; насадковий; 15/16"; 3/4"; 51,5мм; хром

1171,97 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Довжина насадки:
51,5мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 1,3кВт; 14,5В; 50А; односпрямована; SOD323
Діод: TVS; 1,3кВт; 14,5В; 50А; односпрямована; SOD323

24,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
SOD323
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; THT

282,54 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідна напруга 2:
-3,3В DC
Вихідний струм:
151мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2241,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV

4664,42 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
8...15А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT

12301,84 грн

Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Струм колектора:
900А
Струм колектора в імпульсі:
900А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP

1113,05 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А

9316,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А

8235,43 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

1927,09 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SOT227B