1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1200В; Ic: 400А

Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1200В; Ic: 400А
Немає в наявності
Код товару: GD400CLY120C2S
4950,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 12
Крок додавання: 12
Код товару: GD400CLY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: C2 62mm
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 400А
Струм колектора в імпульсі: 800А
Технологія: Advanced Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: buck chopper
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 178; лоток
IC: FPGA; SMD; I/O: 178; лоток

3419,61 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
178
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 47мкФ; 10ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 47мкФ; 10ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C

17,42 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
B
З'єднувачі; 4000шт.
З'єднувачі; 4000шт.

1824,47 грн

Вживання антистатичних елементів:
для з'єднання стрічок SMT; для подаючих пристроїв pick and place SMT
Кількість в наборі/упаковці:
4000шт.
Супутні товари:
PRT-STST100201
Тип антистатичних аксесуарів:
з'єднувачі
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 100В; X7S; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 100В; X7S; ±20%; SMD; 2220

171,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 16,7В; двоспрямована; Ch: 8; -55÷150°C; MDA
Діод: TVS; 3кВт; 16,7В; двоспрямована; Ch: 8; -55÷150°C; MDA

3336,62 грн

Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
8
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
16,7В
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 18мкФ; 500ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 18мкФ; 500ВDC; ±20%

62,72 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
31,5мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність; висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
12,5мм
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

9961,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV

4664,42 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
8...15А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT

12301,84 грн

Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Струм колектора:
900А
Струм колектора в імпульсі:
900А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP

1113,05 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А

9316,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А

8235,43 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

1927,09 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SOT227B