Тиристор: TSS; Urmax: 75В; QFN5x6; SMD; 30А; SIDACtor®; UBO: 98В

Немає в наявності
Код товару: SDP0900Q38CB
79,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: SDP0900Q38CB
Виробник: LITTELFUSE
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: broadband equipment; додатки DSL
Зворотна напруга макс.: 75В
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга перемикання: 98В
Струм в імпульсі макс.: 30А
Технологія: SIDACtor®
Тип тиристора: TSS
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 68пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 68пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

0,00 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

14,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Датчик: ІЧ-детектор; THT; TO8; -20÷30°C; 70°; λd: 10,6мкм; 90Ом
Датчик: ІЧ-детектор; THT; TO8; -20÷30°C; 70°; λd: 10,6мкм; 90Ом

75000,73 грн

Довжина хвилі λd:
10,6мкм
Додаткові функції:
mатеріал віконця: GE
Корпус:
TO8
Кут поля зору:
70°
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SOT23
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
15нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60

357,32 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TWBGA60
Монтаж:
SMD
Тиристор: AVS; 600В; 12А; TO220AB; THT; туба
Тиристор: AVS; 600В; 12А; TO220AB; THT; туба

102,64 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 6А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 6А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; ASD™

100,10 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
К-ть перемикачів:
1
Корпус:
D2PAK
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 240÷280В; THT; розсипний; двоспрямована
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 240÷280В; THT; розсипний; двоспрямована

100,10 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
240...280В
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 2А; Igt: 10мА; DPAK; SMD
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 2А; Igt: 10мА; DPAK; SMD

33,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Тиристор: BOD x4; 0,7А; BOD; THT; 3,8кВ; розсипний
Тиристор: BOD x4; 0,7А; BOD; THT; 3,8кВ; розсипний

5139,39 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
BOD
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
3,8кВ
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 2А; Igt: 10мА; DPAK; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 2А; Igt: 10мА; DPAK; SMD; ASD™

84,90 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
700В
К-ть перемикачів:
1
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 10мА; TO92; THT
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 10мА; TO92; THT

42,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO92