Транзистор: IGBT; 1,7кВ; 80А; 360Вт; TO268

Немає в наявності
Код товару: IXBT42N170-TRL
1514,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXBT42N170-TRL
Виробник: IXYS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 188нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,7кВ
Потужність розсіювання: 360Вт
Струм колектора: 80А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805

1,52 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 55А; Idm: 312А; 385Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 55А; Idm: 312А; 385Вт

973,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
79,4нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK

95,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268

891,41 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV

780,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268HV
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263

37,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 10А; 25Вт
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 10А; 25Вт

98,20 грн

Заряд затвора:
22нКл
Напруги колектор-емітер:
650В
Потужність розсіювання:
25Вт
Струм колектора:
10А