Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 55А; Idm: 312А; 385Вт

Немає в наявності
Код товару: SCT018H65G3AG
973,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCT018H65G3AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 79,4нКл
Корпус: H2PAK7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 385Вт
Струм стока: 55А
Струм стоку в імпульсі: 312А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC

911,05 грн

Вихідна напруга:
-5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
-800мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 1А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 1А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™

72,23 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
700В
К-ть перемикачів:
1
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 3,3мкГн; 260мА; R: 1,2Ом; ±5%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 3,3мкГн; 260мА; R: 1,2Ом; ±5%

5,13 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±5%
Індуктивність:
3,3мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC; SIP7

534,72 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
12В DC
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 150В; 10Аx2; туба
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 150В; 10Аx2; туба

96,93 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
150В
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Корпус:
D2PAK; TO263AB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V

236,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD