Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; DPAK; системи запалювання

Немає в наявності
Код товару: FGD3040G2-F085
119,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FGD3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: системи запалювання
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±10В
Напруги колектор-емітер: 400В
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм колектора: 25,6А
Тип транзистора: IGBT
Конектор: плоский; ізольована; червоний; затискання; гніздовий
Конектор: плоский; ізольована; червоний; затискання; гніздовий

6,72 грн

Версія наконечника:
ізольована
Вид конектора:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Колір:
червоний
Недоступний
Резистор: thin film; 205Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 205Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: живлення DC; вилка; штекерний; роз'єм живлення; R7B; PIN: 4
Роз’єм: живлення DC; вилка; штекерний; роз'єм живлення; R7B; PIN: 4

242,02 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Діаметр проводу макс.:
6,5мм
Електричний монтаж:
паяння
Connector: IDC; female; data; PIN: 60; straight; for ribbon cable
Connector: IDC; female; data; PIN: 60; straight; for ribbon cable

262,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
60
Кількість рядів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 62,5Вт; IPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 62,5Вт; IPAK

69,06 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
IPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,92 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK

134,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268