Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; D2PAK; системи запалювання

Немає в наявності
Код товару: STGB30H60DLLFBAG
179,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STGB30H60DLLFBAG
Виробник: STMicroelectronics
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: системи запалювання
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 260Вт
Струм колектора: 30А
Струм колектора в імпульсі: 120А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; Поз: 2; 0,05A/12ВDC; SMT; LED; 2,6Н
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; Поз: 2; 0,05A/12ВDC; SMT; LED; 2,6Н

43,72 грн

Виводи:
Gull Wing; для друку
Вид упаковки:
ролик
Висота кнопки:
2,5мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; angled; 2x8
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; angled; 2x8

38,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,92 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268