Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: STGD4H60DF
65,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STGD4H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 75Вт
Струм колектора: 4А
Струм колектора в імпульсі: 16А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА

1263,31 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
24x18,1x8,25мм
Недоступний
Діод: TVS; 66,7В; двоспрямована; 15кВт; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 66,7В; двоспрямована; 15кВт; Ch: 1; ролик,cтрічка

1268,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
60В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; вилка; штекерний; Iном: 2А; PIN: 5; THT; 250ВAC
Роз’єм: провід-плата; вилка; штекерний; Iном: 2А; PIN: 5; THT; 250ВAC

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
5
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK

134,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,92 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл