Транзистор: IGBT; 650В; 132А; 600Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: IXYA50N65C3-TRL
212,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXYA50N65C3-TRL
Виробник: IXYS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм колектора: 132А
Струм колектора в імпульсі: 250А
Тип транзистора: IGBT
Час вимкнення: 90нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 20,8мА
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 20,8мА

418,74 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
20,8мА
Вхідна напруга:
48В DC
Зовнішні розміри:
11,68x6x12,19мм
Недоступний
Тримач плашок; Діапазон захвату: MF16-MF20; L: 440мм; Thk: 14мм
Тримач плашок; Діапазон захвату: MF16-MF20; L: 440мм; Thk: 14мм

1615,41 грн

Діапазон захоплення:
MF16-MF20
Довжина:
440мм
Матеріал:
цинковий сплав
Розмір:
45
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА

146,97 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Зовнішні розміри:
19,5x6x9,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 333мА; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 333мА; SIP7

428,88 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,333А
Вхідна напруга:
24В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,91 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,15 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; 430В; 30А; 125Вт; LPDS
Транзистор: IGBT; 430В; 30А; 125Вт; LPDS

97,56 грн

Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
LPDS
Напруги колектор-емітер:
430В
Потужність розсіювання:
125Вт
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,60 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл