Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 42Вт; TO263; Eвикл: 0,07мДж

Немає в наявності
Код товару: AOB5B65M1
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: AOB5B65M1
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Енергія виключення: 0,07мДж
Енергія включення: 0,08мДж
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруга насичення кол.-емітер: 1,57В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм колектора: 5А
Струм колектора в імпульсі: 15А
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 21нс
Час вимкнення: 161нс
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 2x2x0,25мм2; неекранований
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 2x2x0,25мм2; неекранований

48,15 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A

183,10 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 383Ом; THT; 600мВт; ±1%; Ø2,5x6,8мм; осьові
Резистор: thin film; 383Ом; THT; 600мВт; ±1%; Ø2,5x6,8мм; осьові

1,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 5А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 5А; 40Вт; TO220FP

139,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 0.75mm; T-112; CuBe; 1.5N
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 0.75mm; T-112; CuBe; 1.5N

509,38 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
0,75мм
Довжина:
35,5мм
IC: пам'ять EEPROM; Microwire; 256x16бит; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; Microwire; 256x16бит; SOP8; послідовний

14,57 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Заряд.пристр: мікропроцесорне; Li-Ion; 2А; 4,2В; Вих: USB
Заряд.пристр: мікропроцесорне; Li-Ion; 2А; 4,2В; Вих: USB

2941,59 грн

Вид акумулятора:
Li-Ion
Вид вихідного з'єднання:
USB
Властивості зарядних пристроїв:
заряджання контролюється мікропроцесорами; контроль заряджання для кожного каналу
Індикація:
LCD-дисплей
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263

37,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK

95,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268

891,41 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD