Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 42Вт; TO263; Eвикл: 0,07мДж

Немає в наявності
Код товару: AOB5B65M1
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: AOB5B65M1
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Енергія виключення: 0,07мДж
Енергія включення: 0,08мДж
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруга насичення кол.-емітер: 1,57В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм колектора: 5А
Струм колектора в імпульсі: 15А
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 21нс
Час вимкнення: 161нс
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 2x2x0,25мм2; неекранований
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 2x2x0,25мм2; неекранований

48,15 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,92 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268