Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 188Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: AFGHL75T65SQDC
582,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AFGHL75T65SQDC
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 139нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 188Вт
Струм колектора: 75А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel

8229,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; SMD; TSOT25
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; SMD; TSOT25

7,48 грн

Активний стан:
високе
Вид об'єднаної схеми:
high-side; USB switch
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 0,45А; R: 1365мОм; ±20%; VLS
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 0,45А; R: 1365мОм; ±20%; VLS

10,77 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,365Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 36÷160ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 36÷160ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА

1794,22 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1,8А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Резистор: дротяний; 68Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9,5мм; осьові; L: 9,5мм
Резистор: дротяний; 68Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9,5мм; осьові; L: 9,5мм

3,67 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9,5мм
Допуск:
±5%
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV

3597,32 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO247HV
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3

535,35 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвикл: 0,04мДж

64,62 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 21А; 140Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 21А; 140Вт; TO247-3

190,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P

258,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
306нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: IGBT; 600В; 4,5А; 38Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 4,5А; 38Вт; TO220AB

51,95 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 1200В; 50А; 672Вт; TO247PLUS
Транзистор: IGBT; 1200В; 50А; 672Вт; TO247PLUS

491,64 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
0,37мкКл
Корпус:
TO247PLUS