Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 46А; 379Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT35GN120SG
579,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT35GN120SG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 379Вт
Струм колектора: 46А
Струм колектора в імпульсі: 105А
Технологія: Field Stop
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 46нс
Час вимкнення: 465нс
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 350 300V; 19x1,5мм2; неекранований; Cu
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 350 300V; 19x1,5мм2; неекранований; Cu

840,01 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 35В; X8L; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 35В; X8L; ±20%; SMD; 0805

2,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; CHA; ±1%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; CHA; ±1%; SMD; 0402; 330мм

2,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±1%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 6; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 6; THT; straight

10,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,4мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; 2м; ПВХ; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 8; 2м; ПВХ; автоматика

1698,40 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
8
Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 100мкГн; 22А; R: 1,38мОм; 1кВAC; -40÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 100мкГн; 22А; R: 1,38мОм; 1кВAC; -40÷120°C

349,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Індуктивність:
0,1мГн
Монтаж:
THT
Опір:
1,38мОм
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK

134,93 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,89 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,91 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,15 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл