Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 10А; 82Вт; DPAK; Eвикл: 0,07мДж

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BIDD05N60T
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: BIDD05N60T
Виробник: BOURNS
Енергія виключення: 0,07мДж
Енергія включення: 0,2мДж
Заряд затвора: 18,5нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 82Вт
Струм колектора: 10А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 100-600%@5mA
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 100-600%@5mA

0,00 грн

CTR@If:
100-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
2
Вентилятор: DC; 40x40x28мм; осьовий; 12ВDC; 19,2м3/г; 37дБА
Вентилятор: DC; 40x40x28мм; осьовий; 12ВDC; 19,2м3/г; 37дБА

743,79 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

5,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
0,33нФ
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 100А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 415ВAC; IP20
Аварійний вимикач; Iном: 100А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 415ВAC; IP20

37398,68 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
2
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%

1,50 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V

116,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -48А; 462Вт; 260нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -48А; 462Вт; 260нс

743,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
103нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK

95,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK