Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 93А; 536Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT75GN60SDQ2G
647,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT75GN60SDQ2G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 485нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 536Вт
Струм колектора: 93А
Струм колектора в імпульсі: 225А
Технологія: Field Stop
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 95нс
Час вимкнення: 485нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3В; X7S; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3В; X7S; ±20%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 470мкФ; 2,5ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 470мкФ; 2,5ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; TAJ

29,97 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
470мкФ
Корпус:
C
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 83,3В; 123А; односпрямована; Ch: 1; MPLAD
Діод: TVS; 15кВт; 83,3В; 123А; односпрямована; Ch: 1; MPLAD

1123,92 грн

Зворотна напруга макс.:
75В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
83,3В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 80; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 80; THT; straight

63,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 15В; DO35; 10нА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 15В; DO35; 10нА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

546,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
15В
Корпус:
DO35
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK

134,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,92 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл