Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 278Вт; TO263-2

Немає в наявності
Код товару: IXYA20N120C3HV
375,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: TO263-2
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм колектора: 20А
Струм колектора в імпульсі: 96А
Технологія: GenX3™; XPT™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 60нс
Час вимкнення: 215нс
Недоступний
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 1.8mm; T-113; CuBe; 1.5N
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 1.8mm; T-113; CuBe; 1.5N

428,92 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,8мм
Довжина:
27,8мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 11нГн; 310мА; R: 0,28Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 11нГн; 310мА; R: 0,28Ом; ±5%; LQW

4,05 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
11нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм

22,17 грн

Зовнішні розміри:
13x30,2x13,5мм
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Номінальний струм:
10А
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц

15,21 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WLCSP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603

1,38 грн

Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268

891,41 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV

780,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268HV