Транзистор: IGBT x4; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топологія: місток H

Немає в наявності
Код товару: MMIX4G20N250
4111,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMIX4G20N250
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: високовольтний
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: SMPD
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 2,5кВ
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм колектора: 4А
Струм колектора в імпульсі: 105А
Тип транзистора: IGBT x4
Топологія: місток H
Час ввімкнення: 217нс
Час вимкнення: 1,066мкс
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 14; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 14; THT; 3A; vertical; 2.54mm

71,59 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
14
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X6S; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X6S; ±10%; SMD; 0402; 180мм

3,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 9,31кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 9,31кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 5,11кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

504,31 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Резистор: thin film; 174кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 174кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм

5,77 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Опір:
174кОм
Недоступний
Блок живлення: контролер; LED; DALI,DALI 2; 16,8Вт; 3÷45ВDC; 350мА
Блок живлення: контролер; LED; DALI,DALI 2; 16,8Вт; 3÷45ВDC; 350мА

7176,90 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
3...45В DC
Вихідний струм:
0,35А
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263

37,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263