Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт

Немає в наявності
Код товару: GAN140-650EBEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: GAN140-650EBEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: DFN8080-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -1,4...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113Вт
Струм стока: 17А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Діод: Лазерний; 655÷665нм; 150мВт; 11/28; TO56; THT; 2,3÷2,5ВDC
Діод: Лазерний; 655÷665нм; 150мВт; 11/28; TO56; THT; 2,3÷2,5ВDC

2404,97 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Висота:
3,57мм
Діаметр підстави:
5,6мм
Довжина хвилі λd:
655...665нм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 250V

510,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 6,04Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 6,04Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 2В; SMD; SOD80; одиночний діод
Діод: зенера; 0,5Вт; 2В; SMD; SOD80; одиночний діод

1,72 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
2В
Корпус:
SOD80
Монтаж:
SMD
Недоступний
Фільтр: SAW; f: 457,5МГц; 3,8x3,8мм; -40÷85°C; Смуга: 5МГц
Фільтр: SAW; f: 457,5МГц; 3,8x3,8мм; -40÷85°C; Смуга: 5МГц

136,21 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3,8x3,8мм
Смуга передачі:
5МГц
Тип фільтра:
SAW
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404