Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

Немає в наявності
Код товару: 2SK3557-6-TB-E
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2SK3557-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC59
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -15В
Напруга сток-джерело: 15В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм вентиля: 10мА
Струм стока: 10мА
Тип транзистора: N-JFET
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 50м; OFC; ПВХ
Patch cord; U/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 50м; OFC; ПВХ

1977,32 грн

Вид жили:
OFC
Вид кабелю:
U/UTP
Діаметр жили:
26AWG
Довжина кабелю:
50м
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 100нГн; 1000мА; R: 0,1Ом; ±10%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 100нГн; 1000мА; R: 0,1Ом; ±10%; LQW

4,95 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,1мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: metal film; 39мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 39мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

3,41 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

163,46 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3МОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; HV; 800В
Резистор: thick film; 1,3МОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; HV; 800В

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1,5кВ
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223