Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 30мА; 225мВт; SOT23; Igt: 50мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SMMBF4393LT1G
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SMMBF4393LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -30В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 100Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 30мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12В; Uвих: 15ВDC; Iвих: 7÷67мА; SMD8
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12В; Uвих: 15ВDC; Iвих: 7÷67мА; SMD8

127,34 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
7...67мА
Вхідна напруга:
12В
Захист:
від короткого замикання SCP
Реактор: дротяний; SMD; 160нГн; R: 500мкОм; ±10%; 7,4x7,6x7мм; 48А
Реактор: дротяний; SMD; 160нГн; R: 500мкОм; ±10%; 7,4x7,6x7мм; 48А

57,65 грн

Висота:
7мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,16мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 5000шт.
Резистор: thick film; 6,81Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 5000шт.

0,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
2,2x1,4x0,6мм
Часове реле; 0,5÷10с; DPDT; 250ВAC/5А; 24ВDC; H3Y; підставка; PIN: 8
Часове реле; 0,5÷10с; DPDT; 250ВAC/5А; 24ВDC; H3Y; підставка; PIN: 8

3102,51 грн

Вид виходу:
DPDT
Діапазон підраховування:
0,5...10с
Електричні параметри виходу 1:
250В AC / 5А
Кількість пін:
8
Недоступний
Реєстратор даних; напруги DC,струму DC,резистансу,температури
Реєстратор даних; напруги DC,струму DC,резистансу,температури

88254,04 грн

Cенсорна панель:
так
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 5,7"
Вид датчика температури:
Cu100; Ni100; Pt100; Pt500; Pt1000; термопара B; термопара E; термопара J; термопара K; термопара L; термопара N; термопара R; термопара T
Вимір:
напруги DC; резистансу; струму DC; температури
Недоступний
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 93000; I/O: 276; лоток; 1В
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 93000; I/O: 276; лоток; 1В

12173,74 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
276
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 360пФ; 50В; X8G; ±1%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 360пФ; 50В; X8G; ±1%; SMD; 0402; 180мм

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223