Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 50мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBF4391LT1G
24,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -30В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 30Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 50мА
Тип транзистора: N-JFET
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір H-A 3; для проводу; EMC; IP65
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір H-A 3; для проводу; EMC; IP65

791,31 грн

Застосування - серія/виробник:
EPIC® ULTRA H-A
Кількість отворів на сальнику:
1
Клас герметичності:
IP65
Корпус:
розмір H-A 3
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 2; гніздовий; промислова; WF20; 500В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 2; гніздовий; промислова; WF20; 500В

399,14 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
2
Резистор: thick film; 24,9кОм; 0603; 250мВт; ±0,5%; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 24,9кОм; 0603; 250мВт; ±0,5%; 1,6x0,8x0,45мм

1,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD