Транзистор: N-JFET; польовий; 4мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBF5485
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBF5485
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -25В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 10мА
Струм стока: 4мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Насадка: Torx®-bit; T50; для робіт на висоті,з захистом; 1/2"
Насадка: Torx®-bit; T50; для робіт на висоті,з захистом; 1/2"

717,18 грн

Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Матеріал:
сталь
Модель:
для робіт на висоті; з захистом
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 3A; 250V

751,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V

53,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 1,09кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,09кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H-RT; 150В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H-RT; 150В

1,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Блок живлення: імпульсний; 960Вт; на шину DIN; OUT: 1; KDR
Блок живлення: імпульсний; 960Вт; на шину DIN; OUT: 1; KDR

9854,29 грн

Кількість виходів:
1
Монтаж:
на шину DIN
Потужність:
960Вт
Серія виробника:
KDR
Недоступний
Резистор: thick film; 909Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 909Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223