Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 80А; 223,2Вт; TO247-4

Немає в наявності
Код товару: IXSJ80N120R1K
1155,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXSJ80N120R1K
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 155нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...21В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 18Ом
Потужність розсіювання: 223,2Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 133÷147В; 7,9А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 133÷147В; 7,9А; двоспрямована; SMC

13,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

207,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Трансформатор: литий; 0,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 67мА; PCB; IP00; TEZ
Трансформатор: литий; 0,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 67мА; PCB; IP00; TEZ

226,18 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7
Виводи первинної обмотки:
1-4
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-1:2000; PN EN 61558-2-1:2000; PN EN 61558-2-6:2000
Вторинна напруга 1:
7,5В
Недоступний
З`єднання: на рейку; PT; PA; L: 45,8мм; затиски: 4; W: 5,2мм; H: 68мм
З`єднання: на рейку; PT; PA; L: 45,8мм; затиски: 4; W: 5,2мм; H: 68мм

230,61 грн

Висота:
68мм
Довжина:
45,8мм
Кількість клем:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thin film (Nichrome); 750Ом; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%
Резистор: thin film (Nichrome); 750Ом; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%

3,80 грн

Допуск:
±1%
Корпус:
MicroMELF
Корпус - дюйм:
0102
Корпус - мм:
2211
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V

1022,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB