Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 340Вт; H2PAK-2

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STH200N10WF7-2
160,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 26
Код товару: STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: H2PAK-2
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Потужність розсіювання: 340Вт
Струм стока: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ланцюгова напрямна; E2.26; Рад.заг: 48мм; L: 1012мм
Ланцюгова напрямна; E2.26; Рад.заг: 48мм; L: 1012мм

3473,14 грн

Внутрішня висота:
26мм
Внутрішня ширина:
77мм
Довжина:
1012мм
Зовнішня висота:
35мм
Недоступний
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100

478,97 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
QFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C

119,11 грн

Висота:
40мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Матеріал:
папір
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)

127,34 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD