Транзистор: N-MOSFET; 100В; 30А; 57Вт; DPAK3; одиночний транзистор

Немає в наявності
Код товару: IPD30N10S3L-34
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 47
Код товару: IPD30N10S3L-34
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: DPAK3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 31мОм
Потужність розсіювання: 57Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 30А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷5мм; 10÷30ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷5мм; 10÷30ВDC; M18; IP67

2858,59 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...5мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM3)
Загальна довжина:
75мм
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; роз'єм живлення; 12А
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; роз'єм живлення; 12А

32,31 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,15мм
Довжина:
2,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805

15,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD