Транзистор: N-MOSFET; 150В; 102А; 455Вт; D2PAK,TO263AB; 120нс

Немає в наявності
Код товару: IXFA102N15T
184,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFA102N15T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 18мОм
Потужність розсіювання: 455Вт
Струм стока: 102А
Технологія: HiPerFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Connector: D-Sub; plug; data transfer; on PCBs; straight; green
Connector: D-Sub; plug; data transfer; on PCBs; straight; green

421,95 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Клас герметичності:
IP20
Колір:
зелений
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; DO35; 1мкА; Ufmax: 1,4В
Діод: зенера; 500мВт; 11В; DO35; 1мкА; Ufmax: 1,4В

693,11 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; у корпусі; 40А; Фікс.поз: 2
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; у корпусі; 40А; Фікс.поз: 2

8961,62 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Кількість полюсів:
3+N
Кількість фіксованих позицій:
2
Максимальна потужність:
22кВт
Недоступний
Резистор: thick film; 316кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 316кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252