Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 10А; 695Вт; D3PAK,TO268; 1,2мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTT10N100D2-TRL
670,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXTT10N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Заряд затвора: 200нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Потужність розсіювання: 695Вт
Струм стока: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,2мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 2,2мкФ; 400ВAC; 1кВDC; 37,5мм; ±10%
Конденсатор: поліестровий; 2,2мкФ; 400ВAC; 1кВDC; 37,5мм; ±10%

228,08 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 17МГц; Ch: 4; Uробоча: 1,8÷24В; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 17МГц; Ch: 4; Uробоча: 1,8÷24В; SO14

752,03 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,3мВ
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO14
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит
Недоступний
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В; USB; антена; Дальність: 100мм; 120мА; ABS
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В; USB; антена; Дальність: 100мм; 120мА; ABS

0,00 грн

Властивості модулів зв'язку:
антена
Дальність:
0,1м
Довжина кабелю:
2м
Інтерфейс:
USB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD