Транзистор: N-MOSFET; 2,5кВ; 5А; 960Вт; TO264; 1,2мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTK5N250
2995,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTK5N250
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 200нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 2,5кВ
Опір в стані провідності: 8,8Ом
Потужність розсіювання: 960Вт
Струм стока: 5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,2мкс
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 16,7÷19,2В; 123А; односпрямована; SMC; 3.0SMCJ
Діод: TVS; 3кВт; 16,7÷19,2В; 123А; односпрямована; SMC; 3.0SMCJ

27,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
15В
Корпус:
SMC
Резистор: дротяний; 3,3Ом; цементний; THT; 15Вт; ±5%; Ш0,75x30мм
Резистор: дротяний; 3,3Ом; цементний; THT; 15Вт; ±5%; Ш0,75x30мм

45,62 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
3,3Ом
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 20МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 20МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

148,25 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
53
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 12бит; 125Мsps; 1,7÷1,9В; VQFN64
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 12бит; 125Мsps; 1,7÷1,9В; VQFN64

0,00 грн

Max DNL:
±1,5LSB
Max INL:
±3,5LSB
Вид входу:
differential
Інтерфейс:
parallel
Наконечник; 350÷398°C; для відпайки; 1,35мм; з нагрівачем
Наконечник; 350÷398°C; для відпайки; 1,35мм; з нагрівачем

814,75 грн

Діаметр сопла:
1,35мм
Застосування паяльного обладнання:
для відпайки
Модель:
з нагрівачем
Супутні товари:
DS-KIT-3
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V

201,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
10,1мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247

435,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,7нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А; 176,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А; 176,5Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

835,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
149нКл
Корпус:
TO247-3