Транзистор: N-MOSFET; 30В; 5мА; 500мВт

Name: Транзистор: N-MOSFET; 30В; 5мА; 500мВт
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: MX2N5116UB/TR
Price: 5181.20 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: MX2N5116UB/TR

5181,20 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 4

Код товару:

MX2N5116UB/TR

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

175Ом

Потужність розсіювання:

0,5Вт

Струм стока:

5мА

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
VSON-CLIP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
118нКл

Корпус:
D2PAK