Транзистор: N-MOSFET; 40В; 120А; 150Вт; одиночний транзистор

Немає в наявності
Код товару: AG040FGS4FRATCB
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 41
Код товару: AG040FGS4FRATCB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 72,6нКл
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Потужність розсіювання: 150Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 33,3В; 62А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 33,3В; 62А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

0,00 грн

Ємність:
0,15нФ
Зворотна напруга макс.:
30В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thin film; 21Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 21Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
IC: мікроконтролер 8051; LQFP32; 16кБFLASH; -40÷105°C; 1,8÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер 8051; LQFP32; 16кБFLASH; -40÷105°C; 1,8÷5,5ВDC

39,28 грн

Кількість входів/виходів:
30
Кількість перетворювачів A/D 12бит:
1
Кількість пін:
32
Корпус:
LQFP32
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 2м; ПВХ
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 2м; ПВХ

1340,60 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама" кутовий
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; Uвих: 0,8÷5ВDC
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; Uвих: 0,8÷5ВDC

143,82 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
0,8...5В DC
Вихідний струм:
0,95А
Недоступний
Набір інструментів: знімач для підшипників; 37шт.
Набір інструментів: знімач для підшипників; 37шт.

46151,22 грн

Вид упаковки:
в поролоновій вставці
Кількість в наборі/упаковці:
37шт.
Тип набору інструментів:
знімач для підшипників
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 256МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; BGA24
IC: пам'ять FLASH; 256МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; BGA24

176,13 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
QUAD SPI
Корпус:
BGA24
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD