Транзистор: N-MOSFET; 40В; 120А; 180Вт; DPAK3; автомобільна галузь

Немає в наявності
Код товару: TK1R4S04PB,LXHQ(O
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 38
Код товару: TK1R4S04PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: DPAK3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,35мОм
Потужність розсіювання: 180Вт
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвх: 230мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвх: 230мА

114,67 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 0,25Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4; THT
Перетворювач: DC/DC; 0,25Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4; THT

295,87 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
21мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 27мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

3,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: metal film; 2,74кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 2,74кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

1,19 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,21кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,21кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD