Транзистор: N-MOSFET; 40В; 160А; 35Вт; одиночний транзистор

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSZ097N04LS G
28,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 114
Код товару: BSZ097N04LS G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 18нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Потужність розсіювання: 35Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стоку в імпульсі: 160А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8

51,95 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 6; прямий; на панель; синій
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 6; прямий; на панель; синій

33,58 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Iном: 3А; прямий; Iмакс: 3А
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Iном: 3А; прямий; Iмакс: 3А

10,96 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальна напруга:
250В AC
Максимальний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Ключ: тріскачка; насадковий; 3/4"; хром-ванадієва сталь
Ключ: тріскачка; насадковий; 3/4"; хром-ванадієва сталь

5112,78 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3122; ISO 3315
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/4"
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
10,1мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD