Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 125Вт; D2PAK,TO263; 340нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA3N50D2-TRL
152,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA3N50D2-TRL
Виробник: IXYS
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 340нс
Роз’єм: RP-SMA; гніздо; штекерний; коаксіальний; кутовий; THT; PTFE
Роз’єм: RP-SMA; гніздо; штекерний; коаксіальний; кутовий; THT; PTFE

811,58 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Клас герметичності:
IP67; IP68
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 100V

631,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD