Транзистор: N-MOSFET; 500В; 6А; 300Вт; D2PAK,TO263; 350нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA6N50D2-TRL
320,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA6N50D2-TRL
Виробник: IXYS
Заряд затвора: 96нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,35мкс
Недоступний
EMobility: з'єднувач; IP55; CHARX; Тип 2 "папа"; гніздо; проводи
EMobility: з'єднувач; IP55; CHARX; Тип 2 "папа"; гніздо; проводи

36207,60 грн

Використання:
зарядка електромобілів
Відповідність стандарту:
IEC 62196-2; IEC 62196-3
Електричний монтаж:
проводи
Кількість пін:
9 (4+2+1+2)
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V

252,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Провід; HookUp Wire; 30AWG; дріт; Cu; ETFE; білий; 305м; 1000футів
Провід; HookUp Wire; 30AWG; дріт; Cu; ETFE; білий; 305м; 1000футів

9040,81 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
IC: Oпераційний підсилювач; 110МГц; Ch: 1; ±1,5÷6ВDC,3÷12ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 110МГц; Ch: 1; ±1,5÷6ВDC,3÷12ВDC; SO8

202,10 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; voltage feedback
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...6В DC; 3...12В DC
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 487Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 487Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Кабель; 0,3м; AMC "мама",MCX "папа"; кутовий,прямий
Кабель; 0,3м; AMC "мама",MCX "папа"; кутовий,прямий

1003,55 грн

Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Довжина кабелю:
0,3м
Конструкція кабелю/переходу:
AMC "мама"; MCX "папа"
Модель роз’єму:
кутовий; прямий
Недоступний
Діод: TVS; 20кВт; 70,4В; 207А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA
Діод: TVS; 20кВт; 70,4В; 207А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA

613,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
60В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD