Транзистор: N-MOSFET; 55В; 64А; 130Вт; DPAK,TO252AA; 30нс

Name: Транзистор: N-MOSFET; 55В; 64А; 130Вт; DPAK,TO252AA; 30нс
Brand: IXYS
SKU: IXTY64N055T-TRL
Price: 114.04 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXTY64N055T-TRL

114,04 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

IXTY64N055T-TRL

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

37нКл

Корпус:

DPAK; TO252AA

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

20В

Напруга сток-джерело:

55В

Опір в стані провідності:

13мОм

Потужність розсіювання:

130Вт

Струм стока:

64А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Час готовності:

30нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900В; 8А; 130Вт; D2PAK

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
121нКл

Корпус:
HU3PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 5,2Вт; PowerPAK® SO8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 156Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
10,4нКл