Транзистор: N-MOSFET; 600В; 77,5А; Idm: 267А; 481Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPW60R041P6
907,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: IPW60R041P6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 170нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Потужність розсіювання: 481Вт
Струм стока: 77,5А
Струм стоку в імпульсі: 267А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,9В; DO35; 2,5мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 3,9В; DO35; 2,5мкА; Ufmax: 1,1В

7950,47 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0805

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 250V

77,93 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,4мм
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP28; 0÷70°C

233,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 8МГц; 12пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 5x3,2x0,9мм; -40÷85°C
Кристал; 8МГц; 12пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 5x3,2x0,9мм; -40÷85°C

10,39 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
12пФ
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
5x3,2x0,9мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V

240,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

736,82 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,45 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
1,07мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В