Транзистор: N-MOSFET; 650В; 17,5А; 151Вт; D2PAK,TO263AB

Немає в наявності
Код товару: IPB65R190CFDATMA2
87,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB65R190CFDATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 650В
Потужність розсіювання: 151Вт
Струм стока: 17,5А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 44; THT; 1.5A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 44; THT; 1.5A; 125V

343,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8,5мм
Довжина відводів:
5,1мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; 0÷8мм; Довж.заг: 65мм
Датчик: індуктивний; 0÷8мм; Довж.заг: 65мм

3888,75 грн

Дальність:
0...8мм
Загальна довжина:
65мм
Тип датчика:
індуктивний
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 118Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 118Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; 5м; IP67

3062,60 грн

Дальність:
0...1,5мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP / NC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD