Транзистор: N-MOSFET; 650В; 4А; 40Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; 650В; 4А; 40Вт
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: R6504ENXC7G
Price: 51.95 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: R6504ENXC7G

51,95 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 78

Код товару:

R6504ENXC7G

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

15нКл

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

1,05Ом

Потужність розсіювання:

40Вт

Струм стока:

4А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class

Заряд затвора:
50нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,42 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
1,07мкКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
113нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
197нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO220

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В