Транзистор: N-MOSFET; 75В; 80А; Idm: 80А; 357Вт; D2PAK,TO263; 160нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA80N075L2-TRL
519,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA80N075L2-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 24мОм
Потужність розсіювання: 357Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 160нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Датчик: тиску; -1,25÷1,25мбар; диференційний; OUT: I2C; THT; DIP
Датчик: тиску; -1,25÷1,25мбар; диференційний; OUT: I2C; THT; DIP

4994,30 грн

Діапазон вимірювання тиску:
-1,25...1,25мбар
Конфігурація виходу:
I2C
Корпус:
DIP
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Резистор: thick film; 470кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 470кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 2512; 1,5Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 2512; 1,5Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

3,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD