1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 2А; 62Вт

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 2А; 62Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R8002ANJGTL
88,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 46
Код товару: R8002ANJGTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 13нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 4,3Ом
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "папа" кутовий; 15м; 60ВDC; 50ВAC
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "папа" кутовий; 15м; 60ВDC; 50ВAC

7473,97 грн

Довжина кабелю:
15м
Застосування проводів:
промислові мережі Ethernet
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206

1,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
PIN Діод ВЧ MA4P7101F-1072T
PIN Діод ВЧ MA4P7101F-1072T

16254,85 грн

Ємність переходу (Junction Capacitance, Cj/Ct):
1 пФ
Максимальна зворотна напруга (Reverse Voltage, Vr):
100 В
Тип і конфігурація діода:
PIN
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67

4086,04 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NO
Недоступний
Пуск.компл: Microchip; PIC18; інтерфейс; Архітектура: PIC
Пуск.компл: Microchip; PIC18; інтерфейс; Архітектура: PIC

4685,33 грн

Вид архітектури:
PIC
Вид модуля:
інтерфейс
Компоненти:
MCP23008
Сімейство:
PIC18
Недоступний
Модуль заземлення; IP20; 10кА
Модуль заземлення; IP20; 10кА

1132,69 грн

Клас герметичності:
IP20
Номінальний ударний струм In (10/350) мкс:
10кА
Тип захисного пристрою:
модуль заземлення
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23

6,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO252

38,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 45В; 10,7А; 1,2Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 45В; 10,7А; 1,2Вт; TSOT26

10,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TSOT26
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,63нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт

53,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
26нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,31 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В